东微半导(688261)：业绩高增新品放量促成长-世界消息

2023-04-25 02:26:45 来源：东方财富证券股份有限公司

投资要点

受益于新能源等高景气赛道，营收和利润同比高增。2022 年公司实现营业收入11.16 亿元，同比增长42.74%，公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道，汽车及工业级营收占比约为80%，充分受益于功率半导体结构性需求分化红利，进而实现营收的持续快速增长，分业务类型来看，高压超级结MOSFET/中低压屏蔽栅MOSFET/Tri-gate IGBT/超级硅MOSFET 分别实现营收9.14/1.56/0.45/0.02 亿元，高压超级结MOSFET和Tri-gate IGBT 同比增长率分别为60.77%和685.21%，同时SiC 器件（含Si2C MOSFET）在22 年首次实现营业收入；2022 年公司实现归母净利润2.84 亿元，同比增长93.57%，实现扣非归母净利润2.68 亿元，同比增长90.59%，公司利润增速明显高于营收增速。

盈利能力显著提升。2022 年公司毛利率为33.96%，同比增长5.24pct，净利率为25.47%，同比增长6.69pct，公司持续进行技术迭代和产品组合结构的调整，同时22 年存在产品涨价的情况，综合因素促进公司盈利能力水平的提升。从费用端来看，2022 年公司期间费用率为0.38%，同比下降了1.76pct，具体来看，财务费用率由于利息收入影响下降1.71pct，管理费用率和销售费用率相对稳定；2022 年研发费用率为4.92%，研发费用达到0.55 亿元，同比增长32.57%，公司积极推进主营产品的技术迭代升级，优化8 英寸与12 英寸芯片代工平台的产品布局，取得较好成效，同时进一步加大第三代半导体、第四代半导体材料等前瞻性研发投入，取得突破性进展。

(资料图片仅供参考)

技术迭代筑造护城河。Si 基器件方面，在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET 及TGBT 产品领域积极进行新一代技术开发，有序推进产品从8 英寸转12 英寸的工艺平台拓展工作，目前进展顺利。在TGBT 产品领域，加强对自有知识产权Tri-gate IGBT 技术研发力度，产品顺利通过多个客户验证并被批量使用，迅速实现了高性能IGBT产品的国产化替代。公司第二代Tri-gate IGBT 技术开发成功并量产，产品性能进一步提升，第三代Tri-gate IGBT 开发顺利。在SiC 器件方面，公司积极布局第三代功率半导体产品，SiC 研发项目稳步推进。

22 年公司开发出Si2C MOSFET 产品，可以实现对部分采用传统技术路线的SiC MOSFET 的替代，已经通过客户的验证并小批量供货。

【投资建议】

依据下游市场需求变化情况以及公司产品放量节奏，我们预计公司2023/2024/2025 年的营业收入分别为16.00/21.13/27.34 亿元，预计2023/2024/2025 年归母净利润分别为3.94/5.20/6.39 亿元，EPS 分别为5.85/7.72/9.49 元，对应PE 分别为37/28/23 倍，给予“增持”评级。

【风险提示】

下游需求不及预期；

新品导入节奏不及预期；

竞争加剧影响整体盈利能力。

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